压电陶瓷片的电容计算与瓷介电容器的容量计算是一样的,
采用平板电容器的计算公式,(注意单位)
C=ε×S/d
C—电容量(F)
ε—介质的介电系数(F/m)
S—电极面积(m2)
d—介质厚度(m)。
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采用平板电容器的计算公式,(注意单位)
C=ε×S/d
C—电容量(F)
ε—介质的介电系数(F/m)
S—电极面积(m2)
d—介质厚度(m)。
压电陶瓷微位移器是利用逆压电效应制作的新型的固态执行器件,在精密光学、微型机械、微电子技术、计算机应用等高新技术领域获得广泛应用[lj。(2)锆钛酸铅Pb(Zr·Ti)O3系压电陶瓷(PZT)压电系数较高,各项机电参数随温度、时间等外界条件的变化小,在锆钛酸铅中添加一两种微量元素,可以获得不同性能的PZT材料。这些应用领域的发展要求压电陶瓷器件向体积小、驱动电压低、位移量大、能集成化的方向发展。原文链接:http://www.mieju.com/chanpin/show-24653.html,转载和复制请保留此链接。
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